Ученые НГУ представили проект опытного рентгеновского литографа «Орел-7». Установку планируют создать как элемент инфраструктуры СКИФ (Сибирский кольцевой источник фотонов) для преодоления технологических ограничений микроэлектроники. Проект разрабатывают специалисты Центра ИИ НГУ, Института физики полупроводников СО РАН и Института вычислительной математики и математической геофизики СО РАН.
Реализация проекта должна позволить преодолеть барьер 28 нм и продвинуться к созданию суверенной технологии производства топовых процессоров.
«Мы видим, что Россия сегодня отстает от мировых лидеров в области микроэлектроники. Чтобы преодолеть это отставание, нужны проекты, основанные на принципиально новых идеях. Такие задачи невозможно решить силами одного института — требуется широкая кооперация», — отметил директор Центра искусственного интеллекта НГУ Александр Люлько.
По словам Люлько, компетенции Центра ИИ НГУ в области создания цифровых двойников промышленного оборудования могут ускорить разработку литографа. Параллельно участники проекта намерены задействовать научный потенциал институтов СО РАН в области физики полупроводников и математического моделирования.
«Совместная работа должна привести к созданию оборудования, которое позволит российской микроэлектронике выйти далеко за предел 28 нанометров. Это критически важный рубеж для третьего перехода в микроэлектронике (первый переход — от видимого к глубокому ультрафиолетовому излучению, второй — к экстремальному ультрафиолетовому излучению)», — подчеркнул один из авторов проекта, научный сотрудник Центра искусственного интеллекта НГУ и заведующий лабораторией Института физики полупроводников СО РАН Дмитрий Щеглов.
Современные решения в области литографии основаны на использовании излучения с длиной волны 13,5 нанометра (EUV-литография). Однако дальнейшее повышение разрешающей способности возможно либо за счет принципиально новых подходов, либо при переходе в более коротковолновую область, в том числе в рентгеновский диапазон.
Рентгеновская литография, благодаря использованию рентгеновского излучения на длинах волн от 1 до 100 ангстрем, позволяет формировать структуры за пределами дифракционного ограничения EUV-литографии (13,5 нм), а также обеспечить более высокое разрешение и потенциально ниже стоимость по сравнению с многостадийными процессами SAQP в EUV.
Опытный образец планируют разместить на СКИФ для изучения физики процессов и отработки параметров. Параллельно аналогичное оборудование предполагается развернуть на синхротроне в Зеленограде для отладки промышленного применения.
Проект находится на начальной стадии. На первой конференции-семинаре «Физические проблемы технологии рентгеновской литографии» сформировано научно-техническое видение, обозначены ключевые проблемы и барьеры, намечены контуры консорциума.
